casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR
Número da peça de fabricante | EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR |
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Número da peça futura | FT-EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamanho da memória | 4Gb (64M x 64) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 216-WFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 216-WFBGA (12x12) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR-FT |
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G8NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A4G4NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel