casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / EDB4064B4PB-1D-F-R TR
Número da peça de fabricante | EDB4064B4PB-1D-F-R TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-EDB4064B4PB-1D-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EDB4064B4PB-1D-F-R TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamanho da memória | 4Gb (64M x 64) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 216-WFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 216-WFBGA (12x12) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4064B4PB-1D-F-R TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EDB4064B4PB-1D-F-R TR-FT |
MT40A2G8NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A4G4NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel