casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / EDB4064B4PB-1D-F-D
Número da peça de fabricante | EDB4064B4PB-1D-F-D |
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Número da peça futura | FT-EDB4064B4PB-1D-F-D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EDB4064B4PB-1D-F-D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamanho da memória | 4Gb (64M x 64) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 216-WFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 216-WFBGA (12x12) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4064B4PB-1D-F-D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EDB4064B4PB-1D-F-D-FT |
MT41K512M8RH-125:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G8NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A4G4NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
XC2VP70-6FF1517C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
10CX105YF672I6G
Intel
XC7K70T-2FBG484I
Xilinx Inc.
XC7S15-2CPGA196C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I1SG
Intel
EP20K60EFC324-3N
Intel