casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Número da peça de fabricante | EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR |
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Número da peça futura | FT-EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamanho da memória | 1Gb (64M x 16) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 134-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 134-VFBGA (10x11.5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR-FT |
W25Q32FVTBJQ
Winbond Electronics
W25Q32FVTBJQ TR
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIG
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIG TR
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIP
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIP TR
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W25Q64FVTBIG
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W25Q64FVTBIP
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W25Q64FVTBJQ
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W25Q64FVTBJQ TR
Winbond Electronics
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel