casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / E4D20120A
Número da peça de fabricante | E4D20120A |
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Número da peça futura | FT-E4D20120A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, E |
E4D20120A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 54.5A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 20A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | 1500pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-2 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E4D20120A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | E4D20120A-FT |
1N4006L-T
Diodes Incorporated
1N4007-B
Diodes Incorporated
1N4007GL-T
Diodes Incorporated
1N4007L-T
Diodes Incorporated
1N4933GL-T
Diodes Incorporated
1N4933L-T
Diodes Incorporated
1N4934L-T
Diodes Incorporated
1N4935GL-T
Diodes Incorporated
1N4935L-T
Diodes Incorporated
1N4936GL-T
Diodes Incorporated
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
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Lattice Semiconductor Corporation
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