casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores Ópticos - Fotoelétrico, Industrial / E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M
Número da peça de fabricante | E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M |
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Número da peça futura | FT-E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | E3Z |
E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Método de Detecção | Through-Beam |
Distância de detecção | 15m |
Tensão - fonte | 12V ~ 24V |
Tempo de resposta | 1ms |
Configuração de saída | PNP Transistor |
Método de Conexão | Cable |
Proteção de entrada | IEC IP67, IP69K |
Comprimento do cabo | - |
Fonte de luz | Infrared (870nm) |
Tipo de ajuste | Single-Turn |
Temperatura de operação | -25°C ~ 55°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M-FT |
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microchip Technology
EP20K200FC484-1
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5SGXEABN2F45I3LN
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Xilinx Inc.
10AX115N3F40E2LG
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EP2SGX30DF780C4
Intel