casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / DZ3600S17K3B2NOSA1
Número da peça de fabricante | DZ3600S17K3B2NOSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-DZ3600S17K3B2NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DZ3600S17K3B2NOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Configuração de diodo | 3 Independent |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2.2V @ 3600A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3050A @ 900V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | A-IHM190-1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ3600S17K3B2NOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DZ3600S17K3B2NOSA1-FT |
CPT40145D
Microsemi Corporation
CPT500100A
Microsemi Corporation
CPT500100D
Microsemi Corporation
CPT50060A
Microsemi Corporation
CPT50060D
Microsemi Corporation
CPT50145A
Microsemi Corporation
CPT50145D
Microsemi Corporation
CPT50235
Microsemi Corporation
CPT50235A
Microsemi Corporation
CPT50235D
Microsemi Corporation
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel