casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / DZ23C9V1-G3-18
Número da peça de fabricante | DZ23C9V1-G3-18 |
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Número da peça futura | FT-DZ23C9V1-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
DZ23C9V1-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Cathode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 10 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 7V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ23C9V1-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DZ23C9V1-G3-18-FT |
DZ23C36-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ANTC100-1
Intel
5SGXMA7N2F45C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1153CES
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C5N
Intel
EPF81500AQC240-2N
Intel