casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / DZ23C8V2-HE3-18
Número da peça de fabricante | DZ23C8V2-HE3-18 |
---|---|
Número da peça futura | FT-DZ23C8V2-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
DZ23C8V2-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Cathode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 6V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ23C8V2-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DZ23C8V2-HE3-18-FT |
DZ23C36-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C36-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C36-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C36-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1000-5FGG456C
Xilinx Inc.
XC6VCX75T-1FFG484C
Xilinx Inc.
10M25DCF484I7G
Intel
5SGXEA7K2F40I3L
Intel
10AX048K4F35I3SG
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX255T-2FFG1155I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152I
Xilinx Inc.
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
EP1S20F780I6N
Intel