casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / DURF1060CT
Número da peça de fabricante | DURF1060CT |
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Número da peça futura | FT-DURF1060CT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DUR |
DURF1060CT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Isolated Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ITO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DURF1060CT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DURF1060CT-FT |
BAV199/ZLR
NXP USA Inc.
BAV199/ZLVL
NXP USA Inc.
BAW156/ZLR
NXP USA Inc.
BAW156/ZLVL
NXP USA Inc.
BAT120C,115
Nexperia USA Inc.
BAT160A,115
Nexperia USA Inc.
BAT160S,115
Nexperia USA Inc.
BAT120A,115
Nexperia USA Inc.
BAT120S,115
Nexperia USA Inc.
BAT160C,115
Nexperia USA Inc.
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel