casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / DURF1030CTR
Número da peça de fabricante | DURF1030CTR |
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Número da peça futura | FT-DURF1030CTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DUR |
DURF1030CTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 45ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 30µA @ 300V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Isolated Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ITO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DURF1030CTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DURF1030CTR-FT |
BAV70QAZ
Nexperia USA Inc.
BAW56QAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG2020CPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG2020CPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG3020CPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG3020CPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG6010CPA,115
Nexperia USA Inc.
BAS21PGX
Nexperia USA Inc.
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel