casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTD713ZETL
Número da peça de fabricante | DTD713ZETL |
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Número da peça futura | FT-DTD713ZETL |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DTD713ZETL Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 260MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTD713ZETL Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTD713ZETL-FT |
DTC123JCAT116
Rohm Semiconductor
DTC123YCAHZGT116
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XC3S200A-4FT256I
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EP4S100G3F45I3
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5SGXEB6R2F43C2N
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XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
EPF8282ALC84-4
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5SGXEA3H3F35I4N
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