casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTC123JMT2L
Número da peça de fabricante | DTC123JMT2L |
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Número da peça futura | FT-DTC123JMT2L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DTC123JMT2L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC123JMT2L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTC123JMT2L-FT |
RN1108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1109(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1110(T5L,F,T)
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RN1112(T5L,F,T)
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RN1114(T5L,F,T)
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RN1116(TE85L,F)
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RN1117(T5L,F,T)
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RN1118(T5L,F,T)
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RN2103(T5L,F,T)
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RN2104(T5L,F,T)
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EP1C6T144C8
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XC4013E-3BG225I
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M1A3P1000-1FG256
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APA300-PQ208A
Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23I7
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EP2AGZ350HF40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
EPF8820AQC208-3
Intel