casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTC123EUAT106
Número da peça de fabricante | DTC123EUAT106 |
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Número da peça futura | FT-DTC123EUAT106 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DTC123EUAT106 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | UMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC123EUAT106 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTC123EUAT106-FT |
DTA143XEBTL
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XC3SD1800A-4FGG676C
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Microsemi Corporation
LFE5UM5G-85F-8BG554I
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EP1S20F672C6
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5SGSED6N2F45C2LN
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XC7VX415T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C7N
Intel
EPF10K50SQC240-1
Intel