casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTC123ECAHZGT116
Número da peça de fabricante | DTC123ECAHZGT116 |
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Número da peça futura | FT-DTC123ECAHZGT116 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
DTC123ECAHZGT116 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased + Diode |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 350mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SST3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC123ECAHZGT116 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTC123ECAHZGT116-FT |
DTD723YMT2L
Rohm Semiconductor
DTD743EMT2L
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DTA124ESATP
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XC3S200A-4FT256I
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XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1N
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5SGXEB6R2F43C2N
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XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
EPF8282ALC84-4
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5SGXEA3H3F35I4N
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