casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTC115EU3T106
Número da peça de fabricante | DTC115EU3T106 |
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Número da peça futura | FT-DTC115EU3T106 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DTC115EU3T106 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 100 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | UMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC115EU3T106 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTC115EU3T106-FT |
DTA114YEBTL
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Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7H3F35C4N
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XC5VSX50T-1FF1136C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19I7N
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EPF6024AQC208-3
Intel