casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTA143EMFHAT2L
Número da peça de fabricante | DTA143EMFHAT2L |
---|---|
Número da peça futura | FT-DTA143EMFHAT2L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
DTA143EMFHAT2L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA143EMFHAT2L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTA143EMFHAT2L-FT |
RN2304(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2308(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2311(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2313(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2103ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2106ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2110ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage