casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTA143EMFHAT2L
Número da peça de fabricante | DTA143EMFHAT2L |
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Número da peça futura | FT-DTA143EMFHAT2L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
DTA143EMFHAT2L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA143EMFHAT2L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTA143EMFHAT2L-FT |
RN2304(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2308(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2311(TE85L,F)
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RN2313(TE85L,F)
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RN2103ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2106ACT(TPL3)
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RN2110ACT(TPL3)
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A3P030-1QNG68
Microsemi Corporation
M2GL050S-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-5F900I
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10M50DAF256C6GES
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5SGSMD4K3F40I3N
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
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XC6VLX550T-2FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC240-1N
Intel