casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DTA115TMT2L
Número da peça de fabricante | DTA115TMT2L |
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Número da peça futura | FT-DTA115TMT2L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DTA115TMT2L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | VMT3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA115TMT2L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DTA115TMT2L-FT |
RN2317(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2318(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1302,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1309(TE85L,F)
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RN1310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1313(TE85L,F)
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RN2304(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2307(TE85L,F)
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RN2308(TE85L,F)
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A3P1000-2FG484
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M7A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5FN1152I
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EP4CGX30CF23I7
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EP3CLS100F484I7N
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5SGXMA4K3F40I3N
Intel
EP3C5E144I7
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XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
AGL060V5-CSG121I
Microsemi Corporation
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation