casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / DSTF20120CR
Número da peça de fabricante | DSTF20120CR |
---|---|
Número da peça futura | FT-DSTF20120CR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DSTF20120CR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 700µA @ 120V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Isolated Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ITO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSTF20120CR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DSTF20120CR-FT |
BAV170QAZ
Nexperia USA Inc.
BAV70QAZ
Nexperia USA Inc.
BAW56QAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG2020CPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG2020CPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG3020CPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG3020CPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG6010CPA,115
Nexperia USA Inc.
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel