casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / DST8100S
Número da peça de fabricante | DST8100S |
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Número da peça futura | FT-DST8100S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DST8100S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 680mV @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 70µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 542pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-277B |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DST8100S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DST8100S-FT |
PMEG6010CEGWJ
Nexperia USA Inc.
GF1G-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1M-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1A-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1J-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1M-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1J-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1G-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1D-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel