casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / DST580S

| Número da peça de fabricante | DST580S |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-DST580S |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| DST580S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de Diodo | Schottky |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 5A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 5A |
| Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 400µA @ 80V |
| Capacitância @ Vr, F | 245pF @ 5V, 1MHz |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-277B |
| Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DST580S Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | DST580S-FT |

PMEG4010EGWX
Nexperia USA Inc.

PMEG6010CEGWJ
Nexperia USA Inc.

GF1G-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division

GF1M-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division

GF1A-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division

GF1J-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division

RGF1M-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division

RGF1J-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division

RGF1G-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division

GF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division

XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.

XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.

M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation

A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation

EP4SE360H29I3N
Intel

XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.

A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation

LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

EP2SGX60DF780C5N
Intel

EP1S40F1020I6N
Intel