casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / DSS5160FDB-7
Número da peça de fabricante | DSS5160FDB-7 |
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Número da peça futura | FT-DSS5160FDB-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DSS5160FDB-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 50mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Potência - Max | 405mW |
Freqüência - Transição | 65MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | U-DFN2020-6 (Type B) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSS5160FDB-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DSS5160FDB-7-FT |
ZXTD09N50DE6TC
Diodes Incorporated
ZXTD6717E6TC
Diodes Incorporated
BCV62AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV62BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV63B,215
Nexperia USA Inc.
BCV63,215
Nexperia USA Inc.
BCV64B,215
Nexperia USA Inc.
BCV62BE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCV62CE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV65,215
Nexperia USA Inc.
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
XA3S200-4PQG208I
Xilinx Inc.
A42MX36-3PQG240I
Microsemi Corporation
EPF10K250EBI600-3
Intel
10AX027H2F34E2SG
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
5SGXMA7H3F35I3LN
Intel
LFE2-50E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188ARC240-4AA
Intel