casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / DSS4160FDB-7
Número da peça de fabricante | DSS4160FDB-7 |
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Número da peça futura | FT-DSS4160FDB-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DSS4160FDB-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 50mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 2V |
Potência - Max | 405mW |
Freqüência - Transição | 175MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | U-DFN2020-6 (Type B) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSS4160FDB-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DSS4160FDB-7-FT |
BCV62AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV62BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV63B,215
Nexperia USA Inc.
BCV63,215
Nexperia USA Inc.
BCV64B,215
Nexperia USA Inc.
BCV62BE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCV62CE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV65,215
Nexperia USA Inc.
DST847BPDP6-7
Diodes Incorporated
DST857BDJ-7
Diodes Incorporated
XC2V500-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2FG144I
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5
Intel
XC5VLX110-2FF676I
Xilinx Inc.
XC5VLX85-1FFG676CES
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG144I
Microsemi Corporation
EP20K100FC324-1X
Intel