casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / DSEI2X31-10P
Número da peça de fabricante | DSEI2X31-10P |
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Número da peça futura | FT-DSEI2X31-10P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DSEI2X31-10P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 2 Independent |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 30A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2.4V @ 30A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 750µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | ECO-PAC1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ECO-PAC1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSEI2X31-10P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DSEI2X31-10P-FT |
CPT30090A
Microsemi Corporation
CPT30090D
Microsemi Corporation
CPT30145A
Microsemi Corporation
CPT30145D
Microsemi Corporation
CPT40080
Microsemi Corporation
CPT40080A
Microsemi Corporation
CPT40080D
Microsemi Corporation
CPT40090A
Microsemi Corporation
CPT40090D
Microsemi Corporation
CPT40145A
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel