casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / DSAI35-18A
Número da peça de fabricante | DSAI35-18A |
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Número da peça futura | FT-DSAI35-18A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DSAI35-18A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 49A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 150A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 4mA @ 1800V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-203AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 180°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSAI35-18A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DSAI35-18A-FT |
BYG22BHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel