casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS2016R-100+
Número da peça de fabricante | DS2016R-100+ |
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Número da peça futura | FT-DS2016R-100+ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS2016R-100+ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Tamanho da memória | 16Kb (2K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 100ns |
Tempo de acesso | 100ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 24-SOIC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2016R-100+ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS2016R-100+-FT |
DS28E05P+T
Maxim Integrated
DS2430AP+
Maxim Integrated
DS28E22P+
Maxim Integrated
DS28EC20P+
Maxim Integrated
DS2502P-E48+
Maxim Integrated
DS28E07P+
Maxim Integrated
DS24L65P+
Maxim Integrated
DS28E07P+T
Maxim Integrated
DS2430AP+T&R
Maxim Integrated
DS2431P-A1+T
Maxim Integrated
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel