casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS2016-150
Número da peça de fabricante | DS2016-150 |
---|---|
Número da peça futura | FT-DS2016-150 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS2016-150 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Tamanho da memória | 16Kb (2K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 150ns |
Tempo de acesso | 150ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 24-DIP (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 24-PDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2016-150 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS2016-150-FT |
DS28EL15Q+T
Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R
Maxim Integrated
DS2704G+T&R
Maxim Integrated
DS28E25Q+T
Maxim Integrated
DS28E80Q+T
Maxim Integrated
DS28E07Q+U
Maxim Integrated
DS28E07Q+T
Maxim Integrated
DS28E38Q+U
Maxim Integrated
DS28E36Q+T
Maxim Integrated
DS2431Q+T&R
Maxim Integrated
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel