casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS1609-50+
Número da peça de fabricante | DS1609-50+ |
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Número da peça futura | FT-DS1609-50+ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS1609-50+ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamanho da memória | 2Kb (256 x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 50ns |
Tempo de acesso | 50ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 24-DIP (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 24-PDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1609-50+ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS1609-50+-FT |
DS28E36Q+U
Maxim Integrated
DS28EL25Q+T
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DS28EL15Q+T
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DS28E25Q+T
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DS28E07Q+U
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DS28E07Q+T
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Maxim Integrated
LFXP3E-3TN144C
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XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
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AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel