casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS1265AB-100+
Número da peça de fabricante | DS1265AB-100+ |
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Número da peça futura | FT-DS1265AB-100+ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS1265AB-100+ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 8Mb (1M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 100ns |
Tempo de acesso | 100ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 36-EDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1265AB-100+ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS1265AB-100+-FT |
ATAES132-SH-EQ-T
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ATAES132-SH-ER
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ATAES132-SH-ER-T
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W25X40CLUXIG TR
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W25X20CLUXIG TR
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W25Q40EWUXIE TR
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SST25WF020AT-40I/NP
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XC3S50A-4VQ100C
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XC6SLX150T-2FG484I
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5AGZME5K3F40I4N
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10CX150YF672E5G
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AX500-FGG676M
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A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
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