casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS1230Y-120IND+
Número da peça de fabricante | DS1230Y-120IND+ |
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Número da peça futura | FT-DS1230Y-120IND+ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS1230Y-120IND+ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 256Kb (32K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 120ns |
Tempo de acesso | 120ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-EDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230Y-120IND+ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS1230Y-120IND+-FT |
MR0A16AVMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16ACMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AVMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCMA35R
Everspin Technologies Inc.
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel