casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS1230W-100IND+
Número da peça de fabricante | DS1230W-100IND+ |
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Número da peça futura | FT-DS1230W-100IND+ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS1230W-100IND+ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 256Kb (32K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 100ns |
Tempo de acesso | 100ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-EDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230W-100IND+ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS1230W-100IND+-FT |
MR0A16AVMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16ACMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AVMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BMA35
Everspin Technologies Inc.
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel