casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS1230AB-120IND+
Número da peça de fabricante | DS1230AB-120IND+ |
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Número da peça futura | FT-DS1230AB-120IND+ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS1230AB-120IND+ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 256Kb (32K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 120ns |
Tempo de acesso | 120ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-EDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230AB-120IND+ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS1230AB-120IND+-FT |
MR256D08BMA45
Everspin Technologies Inc.
MR0A16ACMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16ACMA35R
Everspin Technologies Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation