casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS1220Y-200IND+
Número da peça de fabricante | DS1220Y-200IND+ |
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Número da peça futura | FT-DS1220Y-200IND+ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS1220Y-200IND+ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 16Kb (2K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 200ns |
Tempo de acesso | 200ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 24-EDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220Y-200IND+ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS1220Y-200IND+-FT |
24LC128T-I/ST14
Microchip Technology
DS25LV02R+T&R
Maxim Integrated
DS2502R+T&R
Maxim Integrated
DS28E05R+T
Maxim Integrated
DS2502R+00B
Maxim Integrated
DS2502R-00C+T&R
Maxim Integrated
DS28E05R+U
Maxim Integrated
DS28CN01U-W0D+1T-C
Maxim Integrated
DS2502S+
Maxim Integrated
DS2460S+
Maxim Integrated
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation