casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS1220Y-100IND+
Número da peça de fabricante | DS1220Y-100IND+ |
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Número da peça futura | FT-DS1220Y-100IND+ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS1220Y-100IND+ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 16Kb (2K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 100ns |
Tempo de acesso | 100ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 24-EDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220Y-100IND+ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS1220Y-100IND+-FT |
24FC512T-I/ST14
Microchip Technology
24LC512-E/ST14
Microchip Technology
24LC512T-E/ST14
Microchip Technology
24LC128T-I/ST14
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DS25LV02R+T&R
Maxim Integrated
DS2502R+T&R
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DS28E05R+T
Maxim Integrated
DS2502R+00B
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DS2502R-00C+T&R
Maxim Integrated
DS28E05R+U
Maxim Integrated
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
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EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel