casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS1220AB-200IND+
Número da peça de fabricante | DS1220AB-200IND+ |
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Número da peça futura | FT-DS1220AB-200IND+ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS1220AB-200IND+ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 16Kb (2K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 200ns |
Tempo de acesso | 200ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 24-EDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220AB-200IND+ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS1220AB-200IND+-FT |
24LC512T-I/ST14
Microchip Technology
24AA512T-I/ST14
Microchip Technology
24FC512T-I/ST14
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24LC512-E/ST14
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24LC512T-E/ST14
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24LC128T-I/ST14
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DS25LV02R+T&R
Maxim Integrated
DS2502R+T&R
Maxim Integrated
DS28E05R+T
Maxim Integrated
DS2502R+00B
Maxim Integrated
A40MX02-VQG80M
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XC3SD1800A-4CS484LI
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XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
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A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel