casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / DS1220AB-200IND+
Número da peça de fabricante | DS1220AB-200IND+ |
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Número da peça futura | FT-DS1220AB-200IND+ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DS1220AB-200IND+ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 16Kb (2K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 200ns |
Tempo de acesso | 200ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 24-EDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220AB-200IND+ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DS1220AB-200IND+-FT |
24LC512T-I/ST14
Microchip Technology
24AA512T-I/ST14
Microchip Technology
24FC512T-I/ST14
Microchip Technology
24LC512-E/ST14
Microchip Technology
24LC512T-E/ST14
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24LC128T-I/ST14
Microchip Technology
DS25LV02R+T&R
Maxim Integrated
DS2502R+T&R
Maxim Integrated
DS28E05R+T
Maxim Integrated
DS2502R+00B
Maxim Integrated
A3P030-2QNG68I
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XC3S50A-5TQG144C
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A3P250-2FG256I
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A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
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EPF10K50SQC240-1N
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EP1S25F1020C7N
Intel