casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5021A2QDBZT
Número da peça de fabricante | DRV5021A2QDBZT |
---|---|
Número da peça futura | FT-DRV5021A2QDBZT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DRV5021A2QDBZT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Função | Unipolar Switch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarização | South Pole |
Faixa de detecção | 12.5mT Trip, 3.6mT Release |
Condição de teste | -40°C ~ 125°C |
Tensão - fonte | 2.5V ~ 5.5V |
Corrente - Fornecimento (máx.) | 2.8mA |
Corrente - Saída (máx) | 30mA |
Tipo de saída | Open Drain |
Características | Temperature Compensated |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5021A2QDBZT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRV5021A2QDBZT-FT |
AD024-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD104-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD105-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD106-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD120-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD121-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD122-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD123-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD124-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD204-02E
NVE Corp/Sensor Products
AX250-1FGG484M
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-1PQ208
Microsemi Corporation
EP4CE115F23I7N
Intel
EP3C16F256C8N
Intel
5SGSED8K2F40C2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676I
Microsemi Corporation