casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5015A3QDBZT
Número da peça de fabricante | DRV5015A3QDBZT |
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Número da peça futura | FT-DRV5015A3QDBZT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DRV5015A3QDBZT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Função | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarização | North Pole, South Pole |
Faixa de detecção | 3.7mT Trip, -3.7mT Release |
Condição de teste | -40°C ~ 125°C |
Tensão - fonte | 2.5V ~ 5.5V |
Corrente - Fornecimento (máx.) | 2.8mA |
Corrente - Saída (máx) | 30mA |
Tipo de saída | Digital |
Características | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5015A3QDBZT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRV5015A3QDBZT-FT |
AD224-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD304-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD305-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD306-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD320-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD321-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD322-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD323-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD324-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD404-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC3S100E-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
5SGSED6N2F45I2N
Intel
EP2SGX90EF1152C5
Intel
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation