casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5015A3QDBZR
Número da peça de fabricante | DRV5015A3QDBZR |
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Número da peça futura | FT-DRV5015A3QDBZR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DRV5015A3QDBZR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Função | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarização | North Pole, South Pole |
Faixa de detecção | 3.7mT Trip, -3.7mT Release |
Condição de teste | -40°C ~ 125°C |
Tensão - fonte | 2.5V ~ 5.5V |
Corrente - Fornecimento (máx.) | 2.8mA |
Corrente - Saída (máx) | 30mA |
Tipo de saída | Digital |
Características | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5015A3QDBZR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRV5015A3QDBZR-FT |
AD420-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD421-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD422-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD423-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD424-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD504-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD505-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD506-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD520-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD521-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FGG456I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQ208
Microsemi Corporation
AT40K40-2EQC
Microchip Technology
EP4CGX75CF23C7
Intel
5SGXMABK2H40I2N
Intel
XC7K410T-3FBG900E
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30DF780C3N
Intel