casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5013FAEDBZRQ1
Número da peça de fabricante | DRV5013FAEDBZRQ1 |
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Número da peça futura | FT-DRV5013FAEDBZRQ1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013FAEDBZRQ1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Função | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarização | North Pole, South Pole |
Faixa de detecção | 1.3mT Trip, -1.3mT Release |
Condição de teste | -40°C ~ 125°C |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Fornecimento (máx.) | 3.5mA |
Corrente - Saída (máx) | 1µA |
Tipo de saída | Open Drain |
Características | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013FAEDBZRQ1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRV5013FAEDBZRQ1-FT |
AD523-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD524-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD604-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD605-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD606-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD620-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD621-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD622-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD623-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD624-02E
NVE Corp/Sensor Products
EPF6016ATC144-1
Intel
XC2VP2-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQ100I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXEA7K3F35C2
Intel
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG144
Microsemi Corporation