casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5013FAEDBZRQ1
Número da peça de fabricante | DRV5013FAEDBZRQ1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-DRV5013FAEDBZRQ1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013FAEDBZRQ1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Função | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarização | North Pole, South Pole |
Faixa de detecção | 1.3mT Trip, -1.3mT Release |
Condição de teste | -40°C ~ 125°C |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Fornecimento (máx.) | 3.5mA |
Corrente - Saída (máx) | 1µA |
Tipo de saída | Open Drain |
Características | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013FAEDBZRQ1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRV5013FAEDBZRQ1-FT |
AD523-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD524-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD604-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD605-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD606-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD620-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD621-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD622-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD623-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD624-02E
NVE Corp/Sensor Products
EPF10K30ETC144-1N
Intel
A3P060-2VQ100I
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100
Microsemi Corporation
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
EP4CE22E22C9L
Intel
5SGSMD6N3F45C2LN
Intel
5SGXMA5H3F35C2N
Intel
XC5VLX50-3FFG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100I
Microsemi Corporation
EP20K60EBC356-1X
Intel