casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5013BCQDBZT
Número da peça de fabricante | DRV5013BCQDBZT |
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Número da peça futura | FT-DRV5013BCQDBZT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DRV5013BCQDBZT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Função | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarização | South Pole |
Faixa de detecção | 18mT Trip, -18mT Release |
Condição de teste | -40°C ~ 125°C |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Fornecimento (máx.) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Saída (máx) | 30mA |
Tipo de saída | Open Drain |
Características | Temperature Compensated |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013BCQDBZT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRV5013BCQDBZT-FT |
AD120-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD121-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD122-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD123-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD124-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD204-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD205-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD206-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD220-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD221-02E
NVE Corp/Sensor Products
A1010B-2VQ80C
Microsemi Corporation
A1010B-VQ80C
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3TN100I
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A3P125-1VQG100I
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Xilinx Inc.
XC5VLX330-1FF1760I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19A7N
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EP20K1500EBC652-2X
Intel