casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5013ADQLPGM
Número da peça de fabricante | DRV5013ADQLPGM |
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Número da peça futura | FT-DRV5013ADQLPGM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DRV5013ADQLPGM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Função | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarização | South Pole |
Faixa de detecção | 5mT Trip, -5mT Release |
Condição de teste | -40°C ~ 125°C |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Fornecimento (máx.) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Saída (máx) | 30mA |
Tipo de saída | Open Drain |
Características | Temperature Compensated |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013ADQLPGM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRV5013ADQLPGM-FT |
MRUS52F
Murata Electronics North America
MRUS52F-001
Murata Electronics North America
TCS10DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10DPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO256E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU065-1FFVC1517I
Xilinx Inc.
5SGXEA4K2F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
5SGXEA5H3F35C4N
Intel
AX1000-1FG676
Microsemi Corporation
M2GL090T-1FGG676I
Microsemi Corporation
APA300-FGG144A
Microsemi Corporation
EP2AGX45DF29C5
Intel