casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5013ADQDBZT
Número da peça de fabricante | DRV5013ADQDBZT |
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Número da peça futura | FT-DRV5013ADQDBZT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DRV5013ADQDBZT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Função | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarização | South Pole |
Faixa de detecção | 5mT Trip, -5mT Release |
Condição de teste | -40°C ~ 125°C |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Fornecimento (máx.) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Saída (máx) | 30mA |
Tipo de saída | Open Drain |
Características | Temperature Compensated |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013ADQDBZT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRV5013ADQDBZT-FT |
AD106-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD120-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD121-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD122-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD123-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD124-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD204-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD205-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD206-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD220-02E
NVE Corp/Sensor Products
LCMXO1200C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-PQ208I
Microsemi Corporation
M1A3P250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2A15F672C8
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EP1AGX20CF484I6N
Intel
EP4CGX30CF23C8
Intel
10CL055ZF484I8G
Intel
A1010B-PLG44I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation