casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / DRV5011ADDBZR
Número da peça de fabricante | DRV5011ADDBZR |
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Número da peça futura | FT-DRV5011ADDBZR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DRV5011ADDBZR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Função | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarização | North Pole, South Pole |
Faixa de detecção | ±0.6mT Trip, ±3.8mT Release |
Condição de teste | -40°C ~ 150°C |
Tensão - fonte | 2.5V ~ 5.5V |
Corrente - Fornecimento (máx.) | 3mA |
Corrente - Saída (máx) | 30mA |
Tipo de saída | Push-Pull |
Características | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 135°C (TA) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5011ADDBZR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRV5011ADDBZR-FT |
AD206-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD220-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD221-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD222-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD224-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD304-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD305-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD306-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD320-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD321-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA300-CQ208M
Microsemi Corporation
EP4SE530H40C4ES
Intel
5SGSMD5H3F35I3LN
Intel
XC2V2000-5FFG896I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel