casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / DRDN010W-7
Número da peça de fabricante | DRDN010W-7 |
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Número da peça futura | FT-DRDN010W-7 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DRDN010W-7 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN + Diode (Isolated) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 18V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 30mA, 300mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 1V |
Potência - Max | 200mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRDN010W-7 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRDN010W-7-FT |
MMSTA56Q-7-F
Diodes Incorporated
ZUMT491TA
Diodes Incorporated
MMST3904-7-F
Diodes Incorporated
MMST2222A-7-F
Diodes Incorporated
AC847BWQ-13
Diodes Incorporated
BC858CW-7-F
Diodes Incorporated
MMST3904Q-7-F
Diodes Incorporated
BC858AW-7-F
Diodes Incorporated
BC858BW-7-F
Diodes Incorporated
MMST4126-7-F
Diodes Incorporated
XC7A35T-2FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2LN
Intel
5SGSED6K2F40I3LN
Intel
5SGSED6K2F40I3N
Intel
5SGXEB6R2F40C2LN
Intel
LCMXO2-2000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX022E3F29E1SG
Intel
EPF10K50SQC208-2X
Intel