casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DRA3124E0L
Número da peça de fabricante | DRA3124E0L |
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Número da peça futura | FT-DRA3124E0L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DRA3124E0L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SSSMini3-F2-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA3124E0L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRA3124E0L-FT |
PDTB123TK,115
NXP USA Inc.
PDTB123YK,115
NXP USA Inc.
PDTC114EK,115
NXP USA Inc.
PDTC114EK,135
NXP USA Inc.
PDTC114TK,115
NXP USA Inc.
PDTC114YK,115
NXP USA Inc.
PDTC115EK,115
NXP USA Inc.
PDTC115TK,115
NXP USA Inc.
PDTC123EK,115
NXP USA Inc.
PDTC123JK,115
NXP USA Inc.
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
LFE2-6SE-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC4013E-2PQ208C
Xilinx Inc.
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2LN
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation