casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DRA3115E0L
Número da peça de fabricante | DRA3115E0L |
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Número da peça futura | FT-DRA3115E0L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DRA3115E0L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 100 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SSSMini3-F2-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA3115E0L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRA3115E0L-FT |
PDTA144VK,115
NXP USA Inc.
PDTA144WK,115
NXP USA Inc.
PDTA323TK,115
NXP USA Inc.
PDTB113EK,115
NXP USA Inc.
PDTB113ZK,115
NXP USA Inc.
PDTB123EK,115
NXP USA Inc.
PDTB123TK,115
NXP USA Inc.
PDTB123YK,115
NXP USA Inc.
PDTC114EK,115
NXP USA Inc.
PDTC114EK,135
NXP USA Inc.
XC3S1200E-4FGG400C
Xilinx Inc.
XC3S400AN-4FGG400I
Xilinx Inc.
5SGXMB6R3F43I4N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-FPQG160
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EPF10K100ARI240-3N
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
Intel