casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DRA3114Y0L

| Número da peça de fabricante | DRA3114Y0L |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-DRA3114Y0L |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| DRA3114Y0L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
| Freqüência - Transição | - |
| Potência - Max | 100mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | SOT-723 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SSSMini3-F2-B |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DRA3114Y0L Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | DRA3114Y0L-FT |

PDTA144TK,115
NXP USA Inc.

PDTA144VK,115
NXP USA Inc.

PDTA144WK,115
NXP USA Inc.

PDTA323TK,115
NXP USA Inc.

PDTB113EK,115
NXP USA Inc.

PDTB113ZK,115
NXP USA Inc.

PDTB123EK,115
NXP USA Inc.

PDTB123TK,115
NXP USA Inc.

PDTB123YK,115
NXP USA Inc.

PDTC114EK,115
NXP USA Inc.

A42MX36-3BG272
Microsemi Corporation

AFS1500-1FG484I
Microsemi Corporation

EP1K10TC100-2
Intel

XC7V585T-1FFG1761I
Xilinx Inc.

XC7K325T-2FB676I
Xilinx Inc.

APA600-FGG676I
Microsemi Corporation

LFE2M20E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation

10AX016E4F29E3SG
Intel