casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DRA3114Y0L
Número da peça de fabricante | DRA3114Y0L |
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Número da peça futura | FT-DRA3114Y0L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DRA3114Y0L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SSSMini3-F2-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA3114Y0L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRA3114Y0L-FT |
PDTA144TK,115
NXP USA Inc.
PDTA144VK,115
NXP USA Inc.
PDTA144WK,115
NXP USA Inc.
PDTA323TK,115
NXP USA Inc.
PDTB113EK,115
NXP USA Inc.
PDTB113ZK,115
NXP USA Inc.
PDTB123EK,115
NXP USA Inc.
PDTB123TK,115
NXP USA Inc.
PDTB123YK,115
NXP USA Inc.
PDTC114EK,115
NXP USA Inc.
XC7A50T-2FTG256C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50VFC484-2
Intel
5SGXMA7N2F40C2N
Intel
EP4SE360H29C4N
Intel
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6NES
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel
EP1SGX25FF1020C5N
Intel