casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DRA3113Z0L
Número da peça de fabricante | DRA3113Z0L |
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Número da peça futura | FT-DRA3113Z0L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DRA3113Z0L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SSSMini3-F2-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA3113Z0L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRA3113Z0L-FT |
PDTA144EK,135
NXP USA Inc.
PDTA144TK,115
NXP USA Inc.
PDTA144VK,115
NXP USA Inc.
PDTA144WK,115
NXP USA Inc.
PDTA323TK,115
NXP USA Inc.
PDTB113EK,115
NXP USA Inc.
PDTB113ZK,115
NXP USA Inc.
PDTB123EK,115
NXP USA Inc.
PDTB123TK,115
NXP USA Inc.
PDTB123YK,115
NXP USA Inc.