casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / DRA3113Z0L
Número da peça de fabricante | DRA3113Z0L |
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Número da peça futura | FT-DRA3113Z0L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DRA3113Z0L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SSSMini3-F2-B |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA3113Z0L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DRA3113Z0L-FT |
PDTA144EK,135
NXP USA Inc.
PDTA144TK,115
NXP USA Inc.
PDTA144VK,115
NXP USA Inc.
PDTA144WK,115
NXP USA Inc.
PDTA323TK,115
NXP USA Inc.
PDTB113EK,115
NXP USA Inc.
PDTB113ZK,115
NXP USA Inc.
PDTB123EK,115
NXP USA Inc.
PDTB123TK,115
NXP USA Inc.
PDTB123YK,115
NXP USA Inc.
M1A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R1F40C2L
Intel
XC7VX330T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200RC240-1X
Intel
5SGXMA3H2F35C3N
Intel