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Número da peça de fabricante | DR1050-102-R |
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Número da peça futura | FT-DR1050-102-R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DR1050 |
DR1050-102-R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 1mH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 430mA |
Atual - saturação | 480mA |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 1.95 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.197" (5.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1050-102-R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DR1050-102-R-FT |
DRA73-681-R
Eaton - Electronics Division
DRA73-6R8-R
Eaton - Electronics Division
DRA73-820-R
Eaton - Electronics Division
DRA73-821-R
Eaton - Electronics Division
DRA73-8R2-R
Eaton - Electronics Division
DRA127-101-R
Eaton - Electronics Division
DRA127-150-R
Eaton - Electronics Division
DRA127-220-R
Eaton - Electronics Division
DRA127-221-R
Eaton - Electronics Division
DRA127-330-R
Eaton - Electronics Division
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation