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Número da peça de fabricante | DR1040-1R5-R |
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Número da peça futura | FT-DR1040-1R5-R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DR1040 |
DR1040-1R5-R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 1.5µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 6.5A |
Atual - saturação | 10A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 8.1 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.157" (4.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1040-1R5-R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DR1040-1R5-R-FT |
DR74-2R2-R
Eaton - Electronics Division
DR74-331-R
Eaton - Electronics Division
DR74-821-R
Eaton - Electronics Division
DR74-1R5-R
Eaton - Electronics Division
DR74-6R8-R
Eaton - Electronics Division
DR74-820-R
Eaton - Electronics Division
DR74-R33-R
Eaton - Electronics Division
DR74-681-R
Eaton - Electronics Division
DR74-8R2-R
Eaton - Electronics Division
DR74-101
Eaton - Electronics Division
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation